半導体記憶装置

Dispositif de stockage à semi-conducteurs

Semiconductor storage device

Abstract

ON状態における抵抗とOFF状態におけるリーク電流が小さく、かつ寸法が小さい選択トランジスタを用いた半導体記憶装置を提供することを目的とする。 本発明に係る半導体記憶装置において、メモリセルアレイを選択する第1選択トランジスタのチャネルは、隣接する各メモリセルアレイと電気的に接続されている(図1参照)。
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor storage device, which has small resistance in the ON state, and a small leak current in the OFF state, and which has a small-sized selection transistor used therein. In this semiconductor storage device, a channel of a first selection transistor that selects a memory cell array is electrically connected to each of the adjacent memory cell arrays (see fig. 1).
L'objectif de la présente invention est de proposer un dispositif de stockage à semi-conducteurs offrant une faible résistance dans l'état allumé et un faible courant de fuite dans l'état éteint et qui a un transistor de sélection de petite taille utilisé dans celui-ci. Dans ce dispositif de stockage à semi-conducteurs, un canal d'un premier transistor de sélection, qui sélectionne un réseau de cellules de mémoire, est connecté électriquement à chacun des réseaux adjacents de cellules de mémoire (voir la figure 1).

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Patent Citations (5)

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