ウェーハの製造方法およびウェーハ

Procédé de fabrication de tranche, et tranche

Manufacturing method of wafer and wafer

Abstract

Included are a resin layer forming step for forming a resin layer (R) on one surface (W1) of a wafer (W); a first surface grinding step in which the one surface (W1) is held and another surface (W2) is subjected to surface grinding with the resin layer (R) interposed between; a resin layer removal step for removing the resin layer (R); and a second surface grinding step in which the other surface (W2) is held, and the one surface (W1) is subjected to surface grinding. In the resin layer forming step, the resin layer (R) is formed so as to satisfy formula (1) below. T/X > 30 (1) (where X is the maximum amplitude of undulations for which the wavelength with the wafer is 10–100 mm inclusive, and T is the thickness of the thickest part of the resin layer)
L'invention concerne un procédé comprenant une étape de formation de couche de résine consistant à former une couche de résine (R) sur une surface (W1) d'une tranche (W) ; une étape de meulage de première surface à laquelle ladite surface (W1) est maintenue et une autre surface (W2) est soumise à un meulage de surface avec la couche de résine (R) intercalée ; une étape d'élimination de couche de résine consistant à éliminer la couche de résine (R) ; et une étape de meulage de seconde surface à laquelle l'autre surface (W2) est maintenue, et ladite surface (W1) est soumise à un meulage de surface. À l'étape de formation de couche de résine, la couche de résine (R) est formée de manière à satisfaire la formule 1 ci-dessous. T/X > 30 (1) (dans laquelle X est l'amplitude maximale d'ondulations dont la longueur d'onde sur la tranche est comprise entre 10 et 100 mm compris, et T est l'épaisseur de la partie la plus épaisse de la couche de résine).
ウェーハ(W)の一方の面(W1)に樹脂層(R)を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層(R)を介して一方の面(W1)を保持し、他方の面(W2)を平面研削する第1の平面研削工程と、樹脂層(R)を除去する樹脂層除去工程と、他方の面(W2)を保持し、一方の面(W1)を平面研削する第2の平面研削工程とを含み、樹脂層形成工程は、以下の式(1)を満たすように、樹脂層(R)を形成する。 T/X>30 … (1) X:ウェーハにおける波長が10mm以上100mm以下のうねりの最大振幅 T:樹脂層における最も厚い部分の厚さ

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2006269761-AOctober 05, 2006Disco Abrasive Syst Ltd, 株式会社ディスコManufacturing method of wafer
    JP-2009272557-ANovember 19, 2009Disco Abrasive Syst Ltd, Three Bond Co Ltd, 株式会社スリーボンド, 株式会社ディスコMethod and apparatus for manufacturing wafer, and curable resin composition
    JP-2015008247-AJanuary 15, 2015株式会社Sumco, Sumco Corp, 株式会社Sumco半導体ウェーハの加工プロセス
    WO-2014129304-A1August 28, 2014株式会社SumcoMethod for processing semiconductor wafer

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